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              反射光譜薄膜測厚儀

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              MProbe RT薄膜測厚儀


              參考價格:15-20萬

              大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導體(硅,單晶硅,多晶硅),半導體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

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              薄膜測厚


              該機大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導體(硅,單晶硅,多晶硅),半導體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

              測量范圍: 1 nm -20um(UVVis),1nm-150um(UVVisNIR)

              波長范圍: 200 nm -1000 nm(UVVis)

              200nm-1700nm(UVVisNIR)

              適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等;


              藍寶石基底上1025nm厚度的氧化物薄膜的反射率和透射率,波長范圍(200-1700nm)

              MProbe RT薄膜測厚儀


              系統性能參數:

                        精度 <0.1nm or 0.01%
                       準確度 <0.2% or 1 nm
                       穩定性 <0.05nm or 0.03%
                       光斑直徑 標準2mm, 可以小至3um
                       樣品大小 大于1 mm


              測量指標:薄膜厚度,光學常數

              界面友好強大: 一鍵式測量和分析。

              實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態測量和產線批量處理。


              技術參數:

              測量范圍 1nm-50um 或1nm-150um
              精度 <0.1nm or 0.01%
              準確度 <0.2% or 1 nm
              穩定性 <0.05nm or 0.03%
              波長范圍 200-1000nm 或 200-1700nm
              光譜儀和檢測器 F4光譜儀,3600像素CCD檢測器,16位深
              F3光譜儀,512像素InGaAs 檢測器
              光譜分辨率 2nm(UVVis),4nm(NIR)
              光源 20W鹵鎢燈(添加氙),色溫3100,壽命:2000小時


              MProbe RT薄膜測厚儀

              (內部結構示意圖)


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              上海全耀代理產品:膜厚測量儀,薄膜測試儀,膜厚儀,厚度測量儀以及MProbe MSP顯微薄膜測試儀等,歡迎廣大用戶前來訂購。

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