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              反射光譜薄膜測厚儀

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              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀


              參考價格:15-20萬

              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導體(硅,單晶硅,多晶硅),半導體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

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              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀



              該機大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導體(硅,單晶硅,多晶硅),半導體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)


              測量范圍: 1 nm -50um    

              波長范圍: 200 nm -1000 nm

              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。

              測量指標:薄膜厚度,光學常數

              界面友好強大: 一鍵式測量和分析。

              實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態測量和產線批量處理。

               MProbe UVVisSR薄膜測厚儀

                                    (MProble NIR薄膜測厚儀系統示 )


              系統性能參數:

               

              精度 <0.01nm or 0.01%
              準確度 <0.2% or 1 nm
              穩定性 <0.02nm or 0.03%
              光斑直徑 標準3mm, 可以小至3um
              樣品大小 大于1 mm


              案例1,73nm SiN氮化硅薄膜的測量


              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀


              硅晶圓反射率,測量時間10ms

              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀


              使用Tauc-Lorentz模型,測量SiN薄膜的n和k值

              MProbe UVVisSR薄膜測厚儀


              技術參數:

              測量范圍 100nm-200um
              精度 <0.01nm or 0.01%
              準確度 <0.2% or 1 nm
              穩定性 <0.02nm or 0.03%
              波長范圍 NIR: 900-1700
              NIRX: 900-2200
              NIRX2:1550-2500nm
              光譜儀和檢測器 F4光譜儀,256/512/1024像素InGaAs PDA檢測器,16位深,TE制冷,高靈敏度,高動態范圍,信噪比:大于6000
              光譜分辨率 小于4nm(512像素)
              光源 5W鹵鎢燈,色溫2800,壽命:10000小時
              反射探頭 光導光纖(7個纖芯),纖芯400um

              可選硬件模塊

              FLUVNIR 紫外可見近紅外聚焦透鏡(CaF2/Quartz),工作距離25mm,光斑直徑小于80um
              FLUV 石英聚焦透鏡,工作距離:35mm,光斑直徑:小于0.5mm
              FDHolder 面向下面樣品適配器,用于透明樣品
              TO 透射率測量模塊
              TO Switch 2個通道轉換器,用于反射率和透射率測量
              20W 20W鹵鎢燈(色溫3100,壽命2000小時)
              TR 5V TTL外觸發模塊,1個外部in觸發,啟動測量,6路out觸發
              HR 光譜分別率升級到1nm

              可選軟件模塊
              MOD 遠程控制(TCP),基于Modbus協議
              KM 動態測量模塊,設定時間間隔,用于在線測量



              我們樂意為您進行免費樣品測量,歡迎來電咨詢。


              美國Semiconsoft中國總代理   上海全耀儀器設備有限公司    


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